中科智芯 | 七款自研芯片,一起来认识这些“硬核担当”
芯片是通信、计算、雷达、航天等设备的核心器件。近年来,我院在芯片设计上扎实推进,陆续推出了七款自主研发的核心芯片与器件,涵盖高速接口、精密驱动、数据转换、隔离传输、相控阵雷达及射频功率放大等关键领域。这些芯片性能对标国际主流产品,可直接替代多款进口型号。下面,就让我们一起认识这些“硬核担当”。
一、打通数据“高速公路”:1G-12.5G通用高速接口SERDES IP
如果把电子系统比作一座城市,那么芯片间的数据传输通道就是城市的“高速公路”。SERDES(串行器/解串器) 正是这条高速路上的关键枢纽。

我们的1G-12.5G通用高速接口SERDES IP,支持USB、PCIE、SATA、JESD204B、SRIO等多种主流通信协议,可谓“一专多能”。它具备以下突出能力:
- 超宽范围数据率偏移补偿:支持±65000ppm的数据率偏移发送和接收,确保在不同时钟源下稳定通信。
- 智能信号调理:发送端可配置输出幅度及前置均衡器(FFE),接收端集成线性均衡器(CTLE)和判决反馈均衡器(DFE),有效对抗信号衰减和干扰。
- 低功耗与灵活控制:支持多通道独立上/下电,按需启用,节省能耗。
- 完备的自测试功能:内建PRBS7/PRBS31码流产生与检测,方便链路健康检查。
应用领域:数据交换、视频传输、存储设备、外围产品接口等。
这款IP可集成于各类高速通信芯片中,是构建国产高速互联生态的基础模块。
二、稳定可靠的“电流管家”:ZY3092可调整恒流源驱动芯片
在很多模拟电路中,需要一个恒定且可调的电流源。我们的ZY3092正是这样一款简洁而强大的恒流源驱动芯片,可直接替代美国Linear公司的LT3092,实现国产化替代。
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核心亮点:
- 输出电流最高200mA,通过外置电阻灵活设定。
- 输入电压范围极宽:1.2V~40V,适应各种供电环境。
- 内置限电流保护、过热保护,工作稳定可靠。
- 采用SOT223封装,管脚与LT3092完全兼容,可直接替换。
典型应用:精密电流源、线性稳压器、传感器偏置等。
简单换用,性能不减,为国产设备提供可靠的电流管理方案。
三、精准捕捉模拟世界:ZYAD14025低功耗14位ADC
模拟信号转换成数字信号,是数字系统感知物理世界的桥梁。ZYAD14025是一款14位、最高40MSPS采样率的模数转换器(ADC),对标美国ADI公司的AD9245。

技术优势:
- 单电源3.3V供电,功耗仅255mW,适合功率敏感设备。
- 模拟输入带宽高达500MHz,支持差分或单端、交流或直流耦合。
- 在奈奎斯特频域内,信噪比(SNR)达67dBc,无杂散动态范围(SFDR)达82dBc,动态性能优异。
- 工作温度范围-55℃~125℃,满足严苛环境要求。
应用场景:医疗成像设备、通信接收机中频采样、频谱分析仪、军用系统、电池供电设备等。
高性能、低功耗、宽温区,ZYAD14025让国产ADC不再“缺席”。
四、灵活重构模拟输出:ZYDA14210低功耗14位DAC
与ADC相反,数模转换器(DAC) 将数字信号还原为模拟波形。ZYDA14210是一款14位、200MSPS采样率的低功耗DAC,可替代美国ADI公司的AD9744。

核心性能:
- 单电源2.7V~3.6V供电,正常模式功耗仅135mW,掉电模式低至15mW。
- 差分输出电流2~20mA可调,满幅电流20mA。
- 动态范围优异:在125MSPS采样、5MHz输出时,SNR达63dBc;2.51MHz输出时SFDR达75dBc。
- 内置1.2V带隙基准源,无需外部参考。
典型应用:宽带通信发射通道、直接中频基站、数字射频链路、直接数字频率合成(DDS)等。
高速度、低功耗、小封装,ZYDA14210为通信与仪器领域提供优质国产DAC选择。
五、安全隔离的“信号桥梁”:数字隔离器
在工业控制、医疗设备、汽车电子等场景,高低压电路之间必须电气隔离,以保护低压侧电路和人员安全。我们的数字隔离器正是为此而生。

1C芯片(单通道芯片) 2C芯片(2通道芯片)
核心价值:
- 电气隔离:阻断高压对低压电路的干扰和损坏。
- 噪声抑制:减少电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI),提升信号完整性。
- 安全保障:防止高压窜入低压侧,保护设备和操作人员。
- 可靠传输:在不同电源域间准确传递数字信号。
性能指标涵盖隔离耐压、数据传输速率、传播延迟等关键参数,满足多种工业级应用需求。
应用领域:信息通讯、电力自动化、工厂自动化、工业测量、汽车车体通讯、仪器仪表、航天航空等。
小小的隔离器,承载的是系统安全与可靠的大责任。
六、相控阵的“全能核心”:X波段收发一体化相控阵芯片
相控阵雷达、5G毫米波基站、卫星互联网……这些前沿技术都离不开相控阵芯片。我们推出的这款X波段相控阵芯片,采用国产自主可控的GaAs pHEMT工艺,集成了功率放大器、低噪声放大器、开关、数控衰减器、数控移相器、数控延时器及驱动电路,是真正的“全能型选手”。

关键技术指标:
- 工作频率:8.5~10.5GHz(X波段)
- 接收增益:29dB,噪声系数仅2.7dB
- 发射小信号增益:33dB,饱和输出功率30.5dBm(约1.2W)
- 移相步进:5.625°(6位移相)
- 衰减步进:0.5dB(6位衰减)
- 延时步进:1/4波长(2位延时)
- 芯片尺寸:5.0mm×3.3mm,高集成度
应用范围:
- 军用:机载、星载、弹载、舰载、地面相控阵雷达
- 民用:5G毫米波基站、卫星互联网、电子对抗
从雷达到通信,这款芯片为国产相控阵系统提供了核心射频前端解决方案。
七、信号发射的“最后推手”:射频功率放大器芯片
射频功率放大器(RF PA)是发射通道的最后一级放大,它决定了信号能传多远、多稳。我们的X波段功率放大器芯片,专为高性能射频系统设计。

核心指标:
- 工作频率:8.5~10.5GHz
- 小信号增益:27dB
- 饱和输出功率:30dBm(1W)
- 输入驻波比:≤2,匹配良好
- 功率附加效率:35%,兼顾效率与线性度
应用领域:微波/射频收发组件、卫星终端、无线通信、相控阵雷达等。
高增益、大功率、高效率,这款PA芯片是射频前端不可或缺的“大力士”。
从高速接口IP到精密数据转换器,从恒流源驱动到隔离传输,从相控阵多功能芯片到射频功率放大器——这七款产品覆盖了数字、模拟、射频等多个维度,初步构建起我院在核心芯片领域的自主产品矩阵。
它们不仅性能对标国际主流产品,更重要的是实现了设计、制造、封测的全流程国产化,为国防装备、通信设施、工业控制、医疗设备等关键领域提供了安全可靠的“中国芯力量”。
未来,我院将继续深耕高端芯片研发,突破更多技术瓶颈,为我国集成电路产业自主可控贡献力量。
